Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IPT020N10N3ATMA1 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IPT020N10N3ATMA1
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 212А; Idm: 1200А; 375Вт
Ток стока: 212 А · Монтаж: SMD · Корпус: PG-HSOF-8 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IPT020N10N3ATMA1 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 212 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PG-HSOF-8.
Напряжение сток-исток — 100В; Сопротивление в открытом состоянии — 2мОм; Рассеиваемая мощность — 375Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 156нC; Технология — OptiMOS™ 3; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Ток стока в импульсном режиме — 1,2кА.
Перед заказом проверьте артикул IPT020N10N3ATMA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 212 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PG-HSOF-8
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IPT020N10N3ATMA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
