Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IPT007N06NATMA1 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IPT007N06NATMA1
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 300А; Idm: 1200А; 375Вт
Ток стока: 300 А · Монтаж: SMD · Корпус: PG-HSOF-8 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IPT007N06NATMA1 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 300 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PG-HSOF-8.
Напряжение сток-исток — 60В; Сопротивление в открытом состоянии — 0,7мОм; Рассеиваемая мощность — 375Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 216нC; Технология — OptiMOS™; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Ток стока в импульсном режиме — 1,2кА.
Перед заказом проверьте артикул IPT007N06NATMA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 300 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PG-HSOF-8
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IPT007N06NATMA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
