Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IPS80R600P7AKMA1 — Транзисторы с каналом N THT
MPN / артикул: IPS80R600P7AKMA1
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 5,5А; 60Вт; IPAK SL; ESD
Ток стока: 5,5 А · Монтаж: THT · Корпус: IPAK SL · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N THT
О модели
Описание
Infineon Technologies IPS80R600P7AKMA1 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 5,5 А.
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — IPAK SL.
Напряжение сток-исток — 800В; Сопротивление в открытом состоянии — 0,6Ом; Рассеиваемая мощность — 60Вт; Полярность — полевой.
Версия — ESD; Заряд затвора — 20нC; Технология — CoolMOS™ P7; Вид канала — обогащенный.
Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул IPS80R600P7AKMA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 5,5 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- IPAK SL
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IPS80R600P7AKMA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
