Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IPS65R1K5CEAKMA1 — Транзисторы с каналом N THT
MPN / артикул: IPS65R1K5CEAKMA1
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 3,1А; 28Вт; IPAK SL
Ток стока: 3,1 А · Монтаж: THT · Корпус: IPAK SL · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N THT
О модели
Описание
Infineon Technologies IPS65R1K5CEAKMA1 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 3,1 А.
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — IPAK SL.
Напряжение сток-исток — 650В; Сопротивление в открытом состоянии — 1,5Ом; Рассеиваемая мощность — 28Вт; Полярность — полевой.
Технология — CoolMOS™; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул IPS65R1K5CEAKMA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 3,1 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- IPAK SL
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IPS65R1K5CEAKMA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
