Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IPP80R900P7XKSA1 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IPP80R900P7XKSA1
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 6А; 45Вт; TO220-3
Ток стока: 6 А · Монтаж: THT · Корпус: TO220-3 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IPP80R900P7XKSA1 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 6 А.
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO220-3.
Напряжение сток-исток — 800В; Сопротивление в открытом состоянии — 770мОм; Рассеиваемая мощность — 45Вт; Заряд затвора — 15нC.
Технология — CoolMOS™ P7; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — 20В.
Перед заказом проверьте артикул IPP80R900P7XKSA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 6 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- TO220-3
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IPP80R900P7XKSA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
