Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IPP65R190E6XKSA1 — Транзисторы с каналом N THT
MPN / артикул: IPP65R190E6XKSA1
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 20,2А; 151Вт; PG-TO220-3
Ток стока: 20,2 А · Монтаж: THT · Корпус: PG-TO220-3 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N THT
О модели
Описание
Infineon Technologies IPP65R190E6XKSA1 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 20,2 А.
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — PG-TO220-3.
Напряжение сток-исток — 650В; Сопротивление в открытом состоянии — 0,19Ом; Рассеиваемая мощность — 151Вт; Полярность — полевой.
Технология — CoolMOS™; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул IPP65R190E6XKSA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 20,2 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- PG-TO220-3
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IPP65R190E6XKSA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
