Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IPP60R180P7XKSA1 — Транзисторы с каналом N THT
MPN / артикул: IPP60R180P7XKSA1
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 11А; Idm: 53А; 72Вт; PG-TO220-3
Ток стока: 11 А · Монтаж: THT · Корпус: PG-TO220-3 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N THT
О модели
Описание
Infineon Technologies IPP60R180P7XKSA1 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 11 А.
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — PG-TO220-3.
Напряжение сток-исток — 650В; Сопротивление в открытом состоянии — 0,18Ом; Рассеиваемая мощность — 72Вт; Полярность — полевой.
Версия — ESD; Технология — CoolMOS™ P7; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Ток стока в импульсном режиме — 53А.
Перед заказом проверьте артикул IPP60R180P7XKSA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 11 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- PG-TO220-3
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IPP60R180P7XKSA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
