Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IPP032N06N3GXKSA1 — Транзисторы с каналом N THT
MPN / артикул: IPP032N06N3GXKSA1
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO220-3
Ток стока: 120 А · Монтаж: THT · Корпус: PG-TO220-3 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N THT
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноО модели
Описание
Infineon Technologies IPP032N06N3GXKSA1 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 120 А.
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — PG-TO220-3.
Напряжение сток-исток — 60В; Сопротивление в открытом состоянии — 3,2мОм; Рассеиваемая мощность — 188Вт; Полярность — полевой.
Технология — OptiMOS™ 3; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул IPP032N06N3GXKSA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 120 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- PG-TO220-3
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IPP032N06N3GXKSA1
Материалы
Документация
Техническое описание: IPP032N06N3G-DTEEN · PDF на prom-elec.com
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
