Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IPN80R1K4P7ATMA1 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IPN80R1K4P7ATMA1
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,7А; 7Вт; PG-SOT223; ESD
Ток стока: 2,7 А · Монтаж: SMD · Корпус: PG-SOT223 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IPN80R1K4P7ATMA1 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 2,7 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PG-SOT223.
Напряжение сток-исток — 800В; Сопротивление в открытом состоянии — 1,4Ом; Рассеиваемая мощность — 7Вт; Полярность — полевой.
Версия — ESD; Заряд затвора — 10нC; Технология — CoolMOS™ P7; Вид канала — обогащенный.
Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул IPN80R1K4P7ATMA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 2,7 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PG-SOT223
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IPN80R1K4P7ATMA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
