Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IPN60R600P7SATMA1 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IPN60R600P7SATMA1
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 4А; 7Вт; PG-SOT223; ESD
Ток стока: 4 А · Монтаж: SMD · Корпус: PG-SOT223 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IPN60R600P7SATMA1 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 4 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PG-SOT223.
Напряжение сток-исток — 600В; Сопротивление в открытом состоянии — 0,6Ом; Рассеиваемая мощность — 7Вт; Полярность — полевой.
Версия — ESD; Заряд затвора — 9нC; Технология — CoolMOS™ P7; Вид канала — обогащенный.
Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул IPN60R600P7SATMA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 4 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PG-SOT223
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IPN60R600P7SATMA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
