Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IPL60R2K1C6SATMA1 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IPL60R2K1C6SATMA1
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 2,3А; 21,6Вт; PG-VSON-4
Ток стока: 2,3 А · Монтаж: SMD · Корпус: PG-VSON-4 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноО модели
Описание
Infineon Technologies IPL60R2K1C6SATMA1 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 2,3 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PG-VSON-4.
Напряжение сток-исток — 600В; Сопротивление в открытом состоянии — 2,1Ом; Рассеиваемая мощность — 21,6Вт; Полярность — полевой.
Технология — CoolMOS™ C6; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул IPL60R2K1C6SATMA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 2,3 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PG-VSON-4
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IPL60R2K1C6SATMA1
Материалы
Документация
Техническое описание: IPL60R2K1C6S-DTEEN · PDF на prom-elec.com
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
