Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IPI60R250CPAKSA1 — Транзисторы с каналом N THT
MPN / артикул: IPI60R250CPAKSA1
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 12А; 104Вт; PG-TO262-3
Ток стока: 12 А · Монтаж: THT · Корпус: PG-TO262-3 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N THT
О модели
Описание
Infineon Technologies IPI60R250CPAKSA1 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 12 А.
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — PG-TO262-3.
Напряжение сток-исток — 600В; Сопротивление в открытом состоянии — 0,25Ом; Рассеиваемая мощность — 104Вт; Полярность — полевой.
Технология — CoolMOS™ CP; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул IPI60R250CPAKSA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 12 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- PG-TO262-3
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IPI60R250CPAKSA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
