Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IPG20N06S4L26ATMA1 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IPG20N06S4L26ATMA1
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 20А; 33Вт; PG-TDSON-8
Ток стока: 20 А · Монтаж: SMD · Корпус: PG-TDSON-8 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IPG20N06S4L26ATMA1 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 20 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PG-TDSON-8.
Напряжение сток-исток — 60В; Сопротивление в открытом состоянии — 26мОм; Рассеиваемая мощность — 33Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 20нC; Вид канала — обогащенный.
Перед заказом проверьте артикул IPG20N06S4L26ATMA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 20 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PG-TDSON-8
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IPG20N06S4L26ATMA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
