Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IPDD60R125G7XTMA1 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IPDD60R125G7XTMA1
Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; полевой; 600В; 20А; Idm: 54А
Ток стока: 20 А · Монтаж: SMD · Корпус: PG-HDSOP-10-1 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IPDD60R125G7XTMA1 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 20 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PG-HDSOP-10-1.
Напряжение сток-исток — 600В; Сопротивление в открытом состоянии — 0,125Ом; Рассеиваемая мощность — 120Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 27нC; Технология — CoolMOS™ G7; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Ток стока в импульсном режиме — 54А.
Перед заказом проверьте артикул IPDD60R125G7XTMA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 20 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PG-HDSOP-10-1
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IPDD60R125G7XTMA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
