Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IPD95R1K2P7ATMA1 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IPD95R1K2P7ATMA1
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 950В; 3,7А; 52Вт; DPAK; ESD
Ток стока: 3,7 А · Монтаж: SMD · Корпус: DPAK · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IPD95R1K2P7ATMA1 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 3,7 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK.
Напряжение сток-исток — 950В; Сопротивление в открытом состоянии — 1,2Ом; Рассеиваемая мощность — 52Вт; Полярность — полевой.
Версия — ESD; Заряд затвора — 15нC; Технология — CoolMOS™ P7; Вид канала — обогащенный.
Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул IPD95R1K2P7ATMA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 3,7 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DPAK
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IPD95R1K2P7ATMA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
