Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IPD80R1K4CEATMA1 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IPD80R1K4CEATMA1
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,3А; 63Вт; PG-TO252-3
Ток стока: 2,3 А · Монтаж: SMD · Корпус: PG-TO252-3 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IPD80R1K4CEATMA1 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 2,3 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PG-TO252-3.
Напряжение сток-исток — 800В; Сопротивление в открытом состоянии — 1,4Ом; Рассеиваемая мощность — 63Вт; Полярность — полевой.
Технология — CoolMOS™ CE; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул IPD80R1K4CEATMA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 2,3 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PG-TO252-3
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IPD80R1K4CEATMA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
