Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IPD70R1K4CEAUMA1 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IPD70R1K4CEAUMA1
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 3,4А; 53Вт; PG-TO252-3
Ток стока: 3,4 А · Монтаж: SMD · Корпус: PG-TO252-3 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноО модели
Описание
Infineon Technologies IPD70R1K4CEAUMA1 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 3,4 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PG-TO252-3.
Напряжение сток-исток — 700В; Сопротивление в открытом состоянии — 1,4Ом; Рассеиваемая мощность — 53Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 10,5нC; Технология — CoolMOS™ CE; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул IPD70R1K4CEAUMA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 3,4 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PG-TO252-3
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IPD70R1K4CEAUMA1
Материалы
Документация
Техническое описание: IPD70R1K4CEEN · PDF на prom-elec.com
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
