Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IPD70N12S311ATMA1 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IPD70N12S311ATMA1
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 70А; 125Вт; DPAK,TO252
Ток стока: 70 А · Монтаж: SMD · Корпус: DPAK · Корпус: TO252 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IPD70N12S311ATMA1 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 70 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK; TO252.
Напряжение сток-исток — 120В; Сопротивление в открытом состоянии — 9,2мОм; Рассеиваемая мощность — 125Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 65нC; Вид канала — обогащенный.
Перед заказом проверьте артикул IPD70N12S311ATMA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 70 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DPAK, TO252
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IPD70N12S311ATMA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
