Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IPD65R660CFDATMA2 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IPD65R660CFDATMA2
Транзистор: N-MOSFET; 700В; 6А; 63Вт; DPAK
Ток стока: 6 А · Монтаж: SMD · Корпус: DPAK · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IPD65R660CFDATMA2 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 6 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK.
Напряжение сток-исток — 700В; Рассеиваемая мощность — 63Вт; Заряд затвора — 22нC; Технология — CoolMOS™.
Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — 20В.
Перед заказом проверьте артикул IPD65R660CFDATMA2, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 6 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DPAK
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IPD65R660CFDATMA2
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
