Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IPD65R660CFDATMA1 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IPD65R660CFDATMA1
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 6А; 62,5Вт; PG-TO252-3
Ток стока: 6 А · Монтаж: SMD · Корпус: PG-TO252-3 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноО модели
Описание
Infineon Technologies IPD65R660CFDATMA1 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 6 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PG-TO252-3.
Напряжение сток-исток — 650В; Сопротивление в открытом состоянии — 0,66Ом; Рассеиваемая мощность — 62,5Вт; Полярность — полевой.
Технология — CoolMOS™; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул IPD65R660CFDATMA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 6 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PG-TO252-3
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IPD65R660CFDATMA1
Материалы
Документация
Техническое описание: IPD65R660CFD-DTEEN · PDF на prom-elec.com
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
