Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IPD65R650CEAUMA1 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IPD65R650CEAUMA1
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 10,1А; 86Вт; DPAK,TO252
Ток стока: 10,1 А · Монтаж: SMD · Корпус: DPAK · Корпус: TO252 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IPD65R650CEAUMA1 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 10,1 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK; TO252.
Напряжение сток-исток — 650В; Сопротивление в открытом состоянии — 0,54Ом; Рассеиваемая мощность — 86Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 23нC; Вид канала — обогащенный.
Перед заказом проверьте артикул IPD65R650CEAUMA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 10,1 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DPAK, TO252
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IPD65R650CEAUMA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
