Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IPD60R1K5PFD7SAUMA1 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IPD60R1K5PFD7SAUMA1
Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; полевой; 600В; 2,2А; Idm: 6А
Ток стока: 2,2 А · Монтаж: SMD · Корпус: TO252 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IPD60R1K5PFD7SAUMA1 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 2,2 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — TO252.
Напряжение сток-исток — 600В; Сопротивление в открытом состоянии — 2,892Ом; Рассеиваемая мощность — 22Вт; Полярность — полевой.
Версия — ESD; Технология — CoolMOS™ PFD7; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Ток стока в импульсном режиме — 6А.
Перед заказом проверьте артикул IPD60R1K5PFD7SAUMA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 2,2 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TO252
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IPD60R1K5PFD7SAUMA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
