Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IPD600N25N3 G — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IPD600N25N3 G
Транзистор: N-MOSFET; 250В; 25А; DPAK
Ток стока: 25 А · Монтаж: SMD · Корпус: DPAK · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IPD600N25N3 G — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 25 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK.
Напряжение сток-исток — 250В; Сопротивление в открытом состоянии — 60мОм; Заряд затвора — 22нC; Вид канала — обогащенный.
Перед заказом проверьте артикул IPD600N25N3 G, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 25 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DPAK
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IPD600N25N3 G
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
