Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IPD50R950CEATMA1 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IPD50R950CEATMA1
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 4,3А; 34Вт; PG-TO252-3
Ток стока: 4,3 А · Монтаж: SMD · Корпус: PG-TO252-3 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IPD50R950CEATMA1 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 4,3 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PG-TO252-3.
Напряжение сток-исток — 500В; Сопротивление в открытом состоянии — 0,95Ом; Рассеиваемая мощность — 34Вт; Полярность — полевой.
Технология — CoolMOS™; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул IPD50R950CEATMA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 4,3 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PG-TO252-3
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IPD50R950CEATMA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
