Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IPD50P04P4L11ATMA2 — Транзисторы с каналом P SMD
MPN / артикул: IPD50P04P4L11ATMA2
Транзистор: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; полевой; -40В; -40А; Idm: -200А
Монтаж: SMD · Корпус: PG-TO252-3-313 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IPD50P04P4L11ATMA2. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PG-TO252-3-313; Напряжение сток-исток — -40В; Ток стока — -40А.
Сопротивление в открытом состоянии — 10,6мОм; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 58Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 14нC; Технология — OptiMOS® -P2; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — -16...5В.
Ток стока в импульсном режиме — -200А.
Перед заказом проверьте артикул IPD50P04P4L11ATMA2, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PG-TO252-3-313
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IPD50P04P4L11ATMA2
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
