Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IPD26N06S2L35ATMA2 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IPD26N06S2L35ATMA2
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 22А; Idm: 120А; 68Вт; PG-TO252-3
Ток стока: 22 А · Монтаж: SMD · Корпус: PG-TO252-3 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IPD26N06S2L35ATMA2 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 22 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PG-TO252-3.
Напряжение сток-исток — 55В; Сопротивление в открытом состоянии — 35мОм; Рассеиваемая мощность — 68Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 10нC; Технология — OptiMOS™; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Ток стока в импульсном режиме — 120А.
Перед заказом проверьте артикул IPD26N06S2L35ATMA2, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 22 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PG-TO252-3
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IPD26N06S2L35ATMA2
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
