Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IPD038N06NF2SATMA1 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IPD038N06NF2SATMA1
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 60В; 120А; 107Вт; DPAK,TO252
Ток стока: 120 А · Монтаж: SMD · Корпус: DPAK · Корпус: TO252 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IPD038N06NF2SATMA1 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 120 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — DPAK; TO252.
Напряжение сток-исток — 60В; Сопротивление в открытом состоянии — 3,85мОм; Рассеиваемая мощность — 107Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 45нC; Технология — SiC; Вид канала — обогащенный.
Перед заказом проверьте артикул IPD038N06NF2SATMA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 120 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DPAK, TO252
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IPD038N06NF2SATMA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
