Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IPD025N06NATMA1 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IPD025N06NATMA1
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 90А; 167Вт; PG-TO252-3
Ток стока: 90 А · Монтаж: SMD · Корпус: PG-TO252-3 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноО модели
Описание
Infineon Technologies IPD025N06NATMA1 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 90 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PG-TO252-3.
Напряжение сток-исток — 60В; Сопротивление в открытом состоянии — 2,5мОм; Рассеиваемая мощность — 167Вт; Полярность — полевой.
Технология — OptiMOS™; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул IPD025N06NATMA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 90 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PG-TO252-3
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IPD025N06NATMA1
Материалы
Документация
Техническое описание: IPD025N06N-DTEEN · PDF на prom-elec.com
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
