Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IPC100N04S5L-1R9 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IPC100N04S5L-1R9
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 100Вт; PG-TDSON-8
Ток стока: 100 А · Монтаж: SMD · Корпус: PG-TDSON-8 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IPC100N04S5L-1R9 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 100 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PG-TDSON-8.
Напряжение сток-исток — 40В; Сопротивление в открытом состоянии — 1,9мОм; Рассеиваемая мощность — 100Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 81нC; Технология — OptiMOS™ 5; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±16В.
Перед заказом проверьте артикул IPC100N04S5L-1R9, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 100 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PG-TDSON-8
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IPC100N04S5L-1R9
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
