Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IPB60R099C6ATMA1 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IPB60R099C6ATMA1
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 37,9А; 278Вт; PG-TO263-3
Ток стока: 37,9 А · Монтаж: SMD · Корпус: PG-TO263-3 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IPB60R099C6ATMA1 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 37,9 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PG-TO263-3.
Напряжение сток-исток — 600В; Сопротивление в открытом состоянии — 99мОм; Рассеиваемая мощность — 278Вт; Полярность — полевой.
Технология — CoolMOS™ C6; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул IPB60R099C6ATMA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 37,9 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PG-TO263-3
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IPB60R099C6ATMA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
