Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IPB200N15N3GATMA1 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IPB200N15N3GATMA1
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 45А; 78Вт; PG-TO263-3
Ток стока: 45 А · Монтаж: SMD · Корпус: PG-TO263-3 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IPB200N15N3GATMA1 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 45 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PG-TO263-3.
Напряжение сток-исток — 120В; Сопротивление в открытом состоянии — 20мОм; Рассеиваемая мощность — 78Вт; Полярность — полевой.
Технология — OptiMOS™; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул IPB200N15N3GATMA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 45 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PG-TO263-3
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IPB200N15N3GATMA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
