Infineon Technologies · Полупроводники

Infineon Technologies IPB180N04S4H0ATMA1 — Транзисторы с каналом N SMD

MPN / артикул: IPB180N04S4H0ATMA1

Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 180А; 250Вт

Производитель автоматикиInfineon Technologies
АртикулIPB180N04S4H0ATMA1
РазделПолупроводники
Единицашт

Ток стока: 180 А · Монтаж: SMD · Корпус: PG-TO263-7 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD

Фото товара

Infineon Technologies IPB180N04S4H0ATMA1 — Транзисторы с каналом N SMD

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.
О модели

Описание

Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 180А; 250Вт

Перед заказом проверьте артикул IPB180N04S4H0ATMA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Единица продажи
шт
Артикул производителя
IPB180N04S4H0ATMA1
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.

Подбор по фотоШильдик и описание Загрузить BOMXLS, XLSX, DOCX, CSV