Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IPB120N06S4-H1 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IPB120N06S4-H1
Транзистор: N-MOSFET; 120А; Idm: 480А; D2PAK,TO263AB
Ток стока: 120 А · Монтаж: SMD · Корпус: TO263AB · Корпус: D2PAK · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IPB120N06S4-H1 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 120 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — D2PAK; TO263AB.
Заряд затвора — 208нC; Вид канала — обогащенный; Ток стока в импульсном режиме — 480А.
Перед заказом проверьте артикул IPB120N06S4-H1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 120 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- D2PAK, TO263AB
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IPB120N06S4-H1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
