Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IPB073N15N5ATMA1 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IPB073N15N5ATMA1
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 81А; 214Вт; PG-TO263-3
Ток стока: 81 А · Монтаж: SMD · Корпус: PG-TO263-3 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IPB073N15N5ATMA1 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 81 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PG-TO263-3.
Напряжение сток-исток — 150В; Сопротивление в открытом состоянии — 7,3мОм; Рассеиваемая мощность — 214Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 49нC; Технология — OptiMOS™ 5; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул IPB073N15N5ATMA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 81 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PG-TO263-3
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IPB073N15N5ATMA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
