Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IPB036N12N3GATMA1 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IPB036N12N3GATMA1
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 180А; 300Вт; PG-TO263-3
Ток стока: 180 А · Монтаж: SMD · Корпус: PG-TO263-3 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноО модели
Описание
Infineon Technologies IPB036N12N3GATMA1 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 180 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PG-TO263-3.
Напряжение сток-исток — 120В; Сопротивление в открытом состоянии — 3,6мОм; Рассеиваемая мощность — 300Вт; Полярность — полевой.
Технология — OptiMOS™ 3; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул IPB036N12N3GATMA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 180 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PG-TO263-3
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IPB036N12N3GATMA1
Материалы
Документация
Техническое описание: IPB036N12N3G-DTEEN · PDF на prom-elec.com
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
