Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IPB027N10N3GATMA1 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IPB027N10N3GATMA1
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; 300Вт; PG-TO263-7
Ток стока: 120 А · Монтаж: SMD · Корпус: PG-TO263-7 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IPB027N10N3GATMA1 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 120 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PG-TO263-7.
Напряжение сток-исток — 100В; Сопротивление в открытом состоянии — 2,7мОм; Рассеиваемая мощность — 300Вт; Полярность — полевой.
Технология — OptiMOS™ 3; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул IPB027N10N3GATMA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 120 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PG-TO263-7
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IPB027N10N3GATMA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
