Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IPAN70R360P7SXKSA1 — Транзисторы с каналом N THT
MPN / артикул: IPAN70R360P7SXKSA1
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 7,5А; 26,5Вт; TO220FP; ESD
Ток стока: 7,5 А · Монтаж: THT · Корпус: TO220FP · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N THT
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноО модели
Описание
Infineon Technologies IPAN70R360P7SXKSA1 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 7,5 А.
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO220FP.
Напряжение сток-исток — 700В; Сопротивление в открытом состоянии — 0,36Ом; Рассеиваемая мощность — 26,5Вт; Полярность — полевой.
Версия — ESD; Заряд затвора — 16,4нC; Технология — CoolMOS™ P7; Вид канала — обогащенный.
Напряжение затвор-исток — ±16В.
Перед заказом проверьте артикул IPAN70R360P7SXKSA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 7,5 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- TO220FP
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IPAN70R360P7SXKSA1
Материалы
Документация
Техническое описание: IPAN70R360P7SEN · PDF на prom-elec.com
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
