Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IPAN60R210PFD7SXKSA1 — Транзисторы с каналом N THT
MPN / артикул: IPAN60R210PFD7SXKSA1
Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; полевой; 650В; 10А; Idm: 42А
Ток стока: 10 А · Монтаж: THT · Корпус: TO220FP · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N THT
О модели
Описание
Infineon Technologies IPAN60R210PFD7SXKSA1 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 10 А.
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO220FP.
Напряжение сток-исток — 650В; Сопротивление в открытом состоянии — 386мОм; Рассеиваемая мощность — 25Вт; Полярность — полевой.
Технология — CoolMOS™ PFD7; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В; Ток стока в импульсном режиме — 42А.
Перед заказом проверьте артикул IPAN60R210PFD7SXKSA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 10 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- TO220FP
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IPAN60R210PFD7SXKSA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
