Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IPA80R1K4P7XKSA1 — Транзисторы с каналом N THT
MPN / артикул: IPA80R1K4P7XKSA1
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,7А; Idm: 8,9А; 24Вт; TO220FP
Ток стока: 2,7 А · Монтаж: THT · Корпус: TO220FP · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N THT
О модели
Описание
Infineon Technologies IPA80R1K4P7XKSA1 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 2,7 А.
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO220FP.
Напряжение сток-исток — 800В; Сопротивление в открытом состоянии — 1,4Ом; Рассеиваемая мощность — 24Вт; Полярность — полевой.
Версия — ESD; Технология — CoolMOS™ P7; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Ток стока в импульсном режиме — 8,9А.
Перед заказом проверьте артикул IPA80R1K4P7XKSA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 2,7 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- TO220FP
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IPA80R1K4P7XKSA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
