Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IMW65R072M1HXKSA1 — Транзисторы с каналом N THT
MPN / артикул: IMW65R072M1HXKSA1
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 18А; Idm: 69А; 96Вт; TO247
Ток стока: 18 А · Монтаж: THT · Корпус: TO247 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N THT
О модели
Описание
Infineon Technologies IMW65R072M1HXKSA1 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 18 А.
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO247.
Напряжение сток-исток — 650В; Сопротивление в открытом состоянии — 94мОм; Рассеиваемая мощность — 96Вт; Полярность — полевой.
Технология — CoolSiC™; SiC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — -5...23В; Ток стока в импульсном режиме — 69А.
Перед заказом проверьте артикул IMW65R072M1HXKSA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 18 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- TO247
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IMW65R072M1HXKSA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
