Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IMW120R090M1HXKSA1 — Транзисторы с каналом N THT
MPN / артикул: IMW120R090M1HXKSA1
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 18А; Idm: 50А; 58Вт; TO247
Ток стока: 18 А · Монтаж: THT · Корпус: TO247 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N THT
О модели
Описание
Infineon Technologies IMW120R090M1HXKSA1 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 18 А.
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO247.
Напряжение сток-исток — 1,2кВ; Сопротивление в открытом состоянии — 0,17Ом; Рассеиваемая мощность — 58Вт; Полярность — полевой.
Технология — CoolSiC™; SiC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — -7...23В; Ток стока в импульсном режиме — 50А.
Перед заказом проверьте артикул IMW120R090M1HXKSA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 18 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- TO247
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IMW120R090M1HXKSA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
