Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IKZ75N65ES5XKSA1 — Транзисторы IGBT THT
MPN / артикул: IKZ75N65ES5XKSA1
Транзистор: IGBT; 650В; 80А; 197Вт; TO247-4
Ток коллектора: 80 А · Монтаж: THT · Корпус: TO247-4 · Тип транзистора: IGBT · Тип товара: Транзисторы IGBT THT
О модели
Описание
Infineon Technologies IKZ75N65ES5XKSA1. Категория: «Транзисторы IGBT THT».
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO247-4; Напряжение коллектор-эмиттер — 650В; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.
Ток коллектора — 80 А; Ток коллектора в импульсе — 300А; Время включения — 71нс; Время выключения — 427нс.
Тип транзистора — IGBT; Рассеиваемая мощность — 197Вт; Характеристики полупроводниковых элементов — integrated anti-parallel diode; Заряд затвора — 164нC.
Технология — TRENCHSTOP™ 5.
Перед заказом проверьте артикул IKZ75N65ES5XKSA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 80 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- TO247-4
- Тип транзистора
- IGBT
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IKZ75N65ES5XKSA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
