Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IKW30N65ES5XKSA1 — Транзисторы IGBT THT
MPN / артикул: IKW30N65ES5XKSA1
Транзистор: IGBT; 650В; 39,5А; TO247-3
Ток коллектора: 39,5 А · Монтаж: THT · Корпус: TO247-3 · Тип транзистора: IGBT · Тип товара: Транзисторы IGBT THT
О модели
Описание
Infineon Technologies IKW30N65ES5XKSA1. Категория: «Транзисторы IGBT THT».
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO247-3; Напряжение коллектор-эмиттер — 650В; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.
Ток коллектора — 39,5 А; Ток коллектора в импульсе — 120А; Время включения — 29нс; Время выключения — 154нс.
Тип транзистора — IGBT; Характеристики полупроводниковых элементов — integrated anti-parallel diode; Заряд затвора — 70нC; Технология — TRENCHSTOP™ 5.
Перед заказом проверьте артикул IKW30N65ES5XKSA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 39,5 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- TO247-3
- Тип транзистора
- IGBT
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IKW30N65ES5XKSA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
