Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IKW25N120T2FKSA1 — Транзисторы IGBT THT
MPN / артикул: IKW25N120T2FKSA1
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 50А; 349Вт; TO247-3
Ток коллектора: 50 А · Монтаж: THT · Корпус: TO247-3 · Тип транзистора: IGBT · Тип товара: Транзисторы IGBT THT
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноО модели
Описание
Infineon Technologies IKW25N120T2FKSA1. Категория: «Транзисторы IGBT THT».
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO247-3; Напряжение коллектор-эмиттер — 1,2кВ; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.
Ток коллектора — 50 А; Ток коллектора в импульсе — 100А; Тип транзистора — IGBT; Рассеиваемая мощность — 349Вт.
Характеристики полупроводниковых элементов — integrated anti-parallel diode; Заряд затвора — 0,12мкC.
Перед заказом проверьте артикул IKW25N120T2FKSA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 50 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- TO247-3
- Тип транзистора
- IGBT
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IKW25N120T2FKSA1
Материалы
Документация
Техническое описание: IKW25N120T2EN · PDF на prom-elec.com
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
