Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IKP20N65H5XKSA1 — Транзисторы IGBT THT
MPN / артикул: IKP20N65H5XKSA1
Транзистор: IGBT; 650В; 20А; 125Вт; TO220-3; H5
Ток коллектора: 20 А · Монтаж: THT · Корпус: TO220-3 · Серия: H5 · Тип транзистора: IGBT · Тип товара: Транзисторы IGBT THT
О модели
Описание
Infineon Technologies IKP20N65H5XKSA1. Категория: «Транзисторы IGBT THT».
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO220-3; Напряжение коллектор-эмиттер — 650В; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.
Ток коллектора — 20 А; Ток коллектора в импульсе — 60А; Тип транзистора — IGBT; Рассеиваемая мощность — 125Вт.
Характеристики полупроводниковых элементов — integrated anti-parallel diode; Заряд затвора — 48нC; Серия — H5.
Перед заказом проверьте артикул IKP20N65H5XKSA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 20 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- TO220-3
- Серия
- H5
- Тип транзистора
- IGBT
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IKP20N65H5XKSA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
