Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IKP10N60TXKSA1 — Транзисторы IGBT THT
MPN / артикул: IKP10N60TXKSA1
Транзистор: IGBT; 600В; 10А; 110Вт; TO220AB
Ток коллектора: 10 А · Монтаж: THT · Корпус: TO220AB · Тип транзистора: IGBT · Тип товара: Транзисторы IGBT THT
О модели
Описание
Infineon Technologies IKP10N60TXKSA1. Категория: «Транзисторы IGBT THT».
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO220AB; Напряжение коллектор-эмиттер — 600В; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.
Ток коллектора — 10 А; Ток коллектора в импульсе — 30А; Тип транзистора — IGBT; Рассеиваемая мощность — 110Вт.
Характеристики полупроводниковых элементов — integrated anti-parallel diode; Заряд затвора — 62нC.
Перед заказом проверьте артикул IKP10N60TXKSA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 10 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- TO220AB
- Тип транзистора
- IGBT
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IKP10N60TXKSA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
