Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IKB30N65ES5ATMA1 — Транзисторы IGBT SMD
MPN / артикул: IKB30N65ES5ATMA1
Транзистор: IGBT; 650В; 39,5А; 94Вт; D2PAK
Ток коллектора: 39,5 А · Монтаж: SMD · Корпус: D2PAK · Тип транзистора: IGBT · Тип товара: Транзисторы IGBT SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IKB30N65ES5ATMA1. Категория: «Транзисторы IGBT SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — D2PAK; Напряжение коллектор-эмиттер — 650В; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.
Ток коллектора — 39,5 А; Ток коллектора в импульсе — 120А; Время включения — 29нс; Время выключения — 154нс.
Тип транзистора — IGBT; Рассеиваемая мощность — 94Вт; Характеристики полупроводниковых элементов — integrated anti-parallel diode; Заряд затвора — 70нC.
Технология — TRENCHSTOP™ 5.
Перед заказом проверьте артикул IKB30N65ES5ATMA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 39,5 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- D2PAK
- Тип транзистора
- IGBT
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IKB30N65ES5ATMA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
