Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies IAUC50N08S5L096ATMA1 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IAUC50N08S5L096ATMA1
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 16А; Idm: 200А; 60Вт; PG-TDSON-8
Ток стока: 16 А · Монтаж: SMD · Корпус: PG-TDSON-8 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies IAUC50N08S5L096ATMA1 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 16 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PG-TDSON-8.
Напряжение сток-исток — 80В; Сопротивление в открытом состоянии — 13,9мОм; Рассеиваемая мощность — 60Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 29нC; Технология — OptiMOS™ 5; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Ток стока в импульсном режиме — 200А.
Перед заказом проверьте артикул IAUC50N08S5L096ATMA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 16 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PG-TDSON-8
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IAUC50N08S5L096ATMA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
