Infineon Technologies IAUC120N04S6N009ATMA1 — Транзисторы с каналом N SMD
Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; полевой; 40В; 120А; Idm: 480А
Ток стока: 120 А · Монтаж: SMD · Корпус: PG-TDSON-8 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
Описание
Infineon Technologies IAUC120N04S6N009ATMA1 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 120 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PG-TDSON-8.
Напряжение сток-исток — 40В; Сопротивление в открытом состоянии — 0,9мОм; Рассеиваемая мощность — 150Вт; Полярность — полевой.
Характеристики полупроводниковых элементов — logic level; Заряд затвора — 33нC; Технология — OptiMOS™ 6; Вид канала — обогащенный.
Напряжение затвор-исток — ±20В; Ток стока в импульсном режиме — 480А.
Технические характеристики
- Ток стока
- 120 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PG-TDSON-8
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IAUC120N04S6N009ATMA1
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
