Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies FZ600R12KE3HOSA1 — Модули IGBT
MPN / артикул: FZ600R12KE3HOSA1
Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 600А; AG-62MM
Ток коллектора: 600 А · Корпус: AG-62MM · Максимальное обратное напряжение: 1200 В · Тип товара: Модули IGBT
О модели
Описание
Infineon Technologies FZ600R12KE3HOSA1. Категория: «Модули IGBT».
Корпус — AG-62MM; Максимальное обратное напряжение — 1200 В; Конструкция диода — одиночный транзистор; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.
Ток коллектора — 600 А; Ток коллектора в импульсе — 1,2кА; Рассеиваемая мощность — 2,8кВт; Электрический монтаж — винтами.
Механический монтаж — винтами; Тип полупроводникового модуля — IGBT.
Перед заказом проверьте артикул FZ600R12KE3HOSA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 600 А
- Корпус
- AG-62MM
- Максимальное обратное напряжение
- 1200 В
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- FZ600R12KE3HOSA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
